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RUM001L02

1.2V驱动 N沟道MOSFET
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RUM001L02

RUM001L02
1.2V驱动 N沟道MOSFET

该MOSFET通过适用于低功耗移动设备的微加工技术，实现了更低导通电阻。拥有包括紧凑型、大功率型和复合型在内的多种产品阵容，可满足市场需求。

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
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主要规格

 
型号 | RUM001L02T2CL
Status | 推荐品
封装 | VMT3
包装形态 | Taping
包装数量 | 8000
最小独立包装数量 | 8000
RoHS | Yes
长期供货计划 | 9 Years

特性：

Package Code

SOT-723

JEITA Package

SC-105AA

Number of terminal

3

Polarity

N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

0.1

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)

6

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)

4.5

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)

3

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

2.5

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

6

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Drive Voltage[V]

1.2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

1.2x1.2 (t=0.55)

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特点：

· 低电压 (1.2V) 驱动类型
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· 小型表面贴装封装
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