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RU1E002SP

4V驱动P沟道MOSFET
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RU1E002SP

RU1E002SP
4V驱动P沟道MOSFET

MOSFETs采用适合移动设备的微加工技术，实现了更低的导通电阻，可实现低电流消耗。提供更宽的产品阵容，包括紧凑型、大功率型和复合型，以满足市场需求。

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
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主要规格

 
型号 | RU1E002SPTCL
Status | 推荐品
封装 | UMT3F
包装形态 | Taping
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
RoHS | Yes
MSL | 1

特性：

Package Code

SOT-323FL

JEITA Package

SC-85

Number of terminal

3

Polarity

P

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-30

Drain Current ID[A]

-0.25

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

1.4

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.9

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

1.6

Power Dissipation (PD)[W]

0.2

Drive Voltage[V]

-4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.1x2.0 (t=1.05)

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特点：

· 4V驱动型
· P沟道小信号MOSFET
· 小型表面贴装封装
· 无铅/符合RoHS标准
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