SCT4020DTWHR (新产品)
750V、69A、9引脚SMD、沟槽结构、车载用碳化硅（SiC）MOSFET
SCT4020DTWHR (新产品)
750V、69A、9引脚SMD、沟槽结构、车载用碳化硅（SiC）MOSFET
此产品为TSC3PAK封装的碳化硅（SiC）MOSFET。TSC3PAK采用顶面散热结构，散热面位于封装顶部，其散热性能可媲美传统通孔封装，同时保持表面贴装设计。此外，极悦娱乐专有的沟槽结构确保了6.66mm的爬电距离，可在2级污染环境下支持1200V的AC峰值电压。这有助于高压应用中的可靠绝缘设计和更高可靠性。此外，该产品实现了低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换电路的效率和降低功耗。它是xEV中的车载充电器和电动压缩机、以及光伏逆变器和服务器电源的理想选择。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
20
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
69
Total Power Dissipation[W]
208
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特点：
- 符合AEC-Q101标准
- 宽爬电距离 = 更低6.66mm
- 低导通电阻
- 高速开关
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅引线镀层；符合RoHS标准
产品概要
概要
本产品是采用TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装的SiC MOSFET。作为可自动安装的表贴型产品，通过将散热面设置在封装顶部，实现了与传统插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。在将本产品用于电动汽车（xEV）的车载充电器（OBC）和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。
本产品通过采用极悦娱乐自有的沟槽设计，确保了6.66mm的爬电距离。在保持与市场上广泛使用的封装兼容性的同时，还实现了污染等级2级环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。
另外，通过采用极悦娱乐第4代SiC MOSFET技术，实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换过程中的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并降低功耗。
开发背景
在电动汽车（xEV）中，为了提高充电速度并延长续航里程，除了主驱逆变器外，SiC器件在车载充电器（OBC）和电动压缩机等的功率转换电路中的应用也在不断扩大。另外，在工业设备领域，作为有助于高性能服务器电源和光伏逆变器等设备高效工作的器件，SiC器件的应用也持续增长。
传统SiC器件为了在大功率运行时有效散热，主要采用的是散热性能优异的插装型封装。但是，插装型封装不仅涉及手工安装工序，还存在因封装形状限制而难以实现薄型化的问题。
对此，近年来可自动安装的表贴型SiC器件开始普及。本产品采用表贴型封装，却实现了与TO-247等插装型封装同等级别的散热性能。
应用示例
・车载设备：车载充电器（OBC）、电动压缩机等
