SCT4026DTW (新产品)
750V, 54A, 9引脚SMD，沟槽结构，SiC（碳化硅）MOSFET
SCT4026DTW (新产品)
750V, 54A, 9引脚SMD，沟槽结构，SiC（碳化硅）MOSFET
此产品为采用TSC3PAK封装的SiC MOSFET。TSC3PAK采用顶部散热结构，散热面位于封装顶部，在保持表面贴装设计的同时，实现了与传统通孔封装相媲美的散热性能。此外，极悦娱乐专有的沟槽结构确保了6.66mm的爬电距离，在污染等级2的环境中支持1200V的交流峰值电压。这有助于高压应用中的安全绝缘设计和更高可靠性。此外，该产品实现了低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换电路的效率和更低功耗。它非常适用于xEV中的车载充电器和电动压缩机，以及光伏逆变器和服务器电源。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
26
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
54
Total Power Dissipation[W]
163
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
特点：
- 更宽的爬电距离 = 更低6.66mm
- 低导通电阻
- 更快的开关速度
- 更快的反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅镀层；符合RoHS
产品概要
概要
本产品是采用TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装的SiC MOSFET。作为可自动安装的表贴型产品，通过将散热面设置在封装顶部，实现了与传统插装型封装（TO-247-4L）同等级别的散热性能。
本产品通过采用极悦娱乐自有的沟槽设计，确保了6.66mm的爬电距离。在保持与市场上广泛使用的封装兼容性的同时，还实现了污染等级2级环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。
另外，通过采用极悦娱乐第4代SiC MOSFET技术，实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换过程中的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并降低功耗。
开发背景
在工业设备领域，SiC器件被越来越广泛地应用于高性能服务器电源和光伏逆变器等需要高效运行的设备中。
传统SiC器件为了有效散发大功率运行时产生的热量，通常采用散热性能优异的插装型封装。但是，这种封装需要人工参与安装，而且受封装形状的限制，难以实现薄型化。
为解决上述问题，近年来可自动安装的表贴型SiC器件逐渐普及。本产品采用表贴型封装，同时实现了与TO-247等插装型封装同等级别的散热性能。
应用示例
・工业设备：光伏逆变器、服务器电源等
