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SCT4065DEHR

750V, 25A, 3引脚THD, 沟槽结构, 车载用SiC(碳化硅) MOSFET
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SCT4065DEHR

SCT4065DEHR
750V, 25A, 3引脚THD, 沟槽结构, 车载用SiC(碳化硅) MOSFET

符合AEC-Q101的车载级产品。SCT4065DEHR是SiC(碳化硅)沟槽MOSFET。具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度等特点。

极悦娱乐第四代SiC MOSFET的优势
本系列产品与以往产品相比，导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。15V的栅极-源极电压使得应用设计更简单。

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主要规格

 
型号 | SCT4065DEHRC11
Status | 推荐品
封装 | TO-247N
包装形态 | Tube
包装数量 | 450
最小独立包装数量 | 30
RoHS | Yes

特性：

Drain-source Voltage[V]

750

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

65

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

25

Total Power Dissipation[W]

88

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

21.0x16.0 (t=5.2)

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

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特点：

  • 符合AEC-Q101
  • 低导通电阻
  • 快速开关速度
  • 快速反向恢复
  • 易于并联
  • 驱动简单
  • 无铅镀层；符合RoHS指令
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