极悦娱乐 Product Detail

SCT4065DR

750V, 25A, 4引脚THD, 沟槽结构, 碳化硅(SiC)MOSFET

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SCT4065DR

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SCT4065DR是碳化硅(SiC)沟槽型MOSFET。它具有耐高压、低导通电阻和开关速度快等特点。

极悦娱乐第四代SiC MOSFET的优势
与传统产品相比，本系列产品的导通电阻减少约40%，开关损耗减少约50%。15V栅极-源极电压使应用设计更简单。

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。

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型号 | SCT4065DRC15

Status | 推荐品

封装 | TO-247-4L

包装形态 | Tube

包装数量 | 450

最小独立包装数量 | 30

RoHS | Yes

Drain-source Voltage[V]

750

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

Total Power Dissipation[W]

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

23.45x16.0 (t=5.2)

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